QAM研究级射频测控溅射设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的溅射镀膜制程

主要特征

A.低压溅 工艺环境

l  能在较低压力下进行溅射成膜（持续放电压力 1~0.1Pa     

B.应对磁性材料薄膜的制程

l  阴极可以安装各种磁场材料的靶材（Fe、Ni、Co 等）

C.多组分共成膜/多层成膜

l  多阴极同时对位基板中心，能够进行多组分共成膜

l  开闭可控的挡板设计实现多层膜的制备    

D.   良好的膜厚均匀性/稳定沉积    

l  倾斜入射的溅射过程，实现良好的膜厚均匀性 

l  采用ULVAC-LTS^{※ 1}专利技术，更大程度抑制阴极边缘不匀等

离子体对基板的影响，实现稳定沉积

注 ）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

E.      UHV 对应 

    l  通过增加选项标准部品，可实现腔体本底 高真空：1.0×10^‐6Pa 以下真空压力。

F.      高拓展性   

l  通过变更相应模块或部件适应性设计，来实现更多用途